AWR Design Forum: Moscow, Russia – 2016
Семинар «AWR Design Forum: Moscow, Russia – 2016» пройдет 15 сентября в конференц-зале МГТУ им. Н.Э. Баумана (Москва, Рубцовская наб., д. 2/18 – Учебно-лабораторный корпус) с 10:00 до 17:30. Участие бесплатное!
Основными докладчиками семинара будут представители AWR (подразделение компании National Instruments) г-н Табиш Хан (Tabish Khan) и г-н Граэм Ритчи (Graeme Ritchie). Мероприятие пройдет на английском языке с переводом.
В программе семинара:
- Обзор NI AWR Design Environment: новые возможности следующего релиза и примеры успешных проектов.
- Проектирование интегральных схем нового поколения.
- AntSyn: синтез и оптимизация антенн – от технического задания к производству.
- Анализ фазированных антенных решеток и радаров следующего поколения.
- Примеры проектов MMIC на основе GaN и GaAs от ООО «Планета-ИРМИС».
- Технологии моделирования для верификации и оптимизации выхода многокристальных модулей.
- Применение аппаратных технологий NI PXI для обеспечения полного цикла производства СВЧ-узлов и систем.
Презентация начнется с обзора NI AWR Design Environment – платформы для проектирования печатных плат (PCB), монолитных интегральных схем СВЧ-диапазона (MMIC), радиочастотных интегральных схем (RFIC), а также устройств на основе технологии низкотемпературной совместно обжигаемой керамики (LTCC).
Затем будет рассказано о том, как NI AWR обеспечивает поддержку высокочастотными САПР технологического процесса интегральных схем, а также о новом уникальном инструменте синтеза и оптимизации антенн Antsyn.
Помимо этого участникам будут представлены примеры применения NI AWR Design Environment в практической разработке интегральных схем и возможности применения аппаратных технологий NI PXI.
© НПП Родник, 2016
© Издание 12NEWS (ИП Маринин А.Л.), 2016
